物質・材料の機能・性能を最大限に発揮することが可能な単結晶を育成し、その特性を調べることは、学術的にも、実用的にも大変重要です。

単結晶と単結晶成長技術

企業との共同研究で、垂直ブリッジマン(VB)法による大形サファイア単結晶成長技術の研究開発を推進しています。

大形サファイア結晶

結晶成長では、融液(液相)が結晶(固相)に変化する場所(固液界面)における熱の移動(熱収支)と物質の移動(偏析現象)に関する物理化学現象の把握と制御が重要です。

単結晶成長のための基礎科学・技術

ULSIや太陽電池の基板として使われる無転位Si単結晶をCZ法で成長し、加工・評価が出来ます。他にGe単結晶成長、VB法によるGaAs、InP単結晶成長が可能です。

半導体結晶
産学連携ガイド
信州大学工学部
信州大学

結晶成長では、融液(液相)が結晶(固相)に変化する場所(固液界面)における熱の移動(熱収支)と物質の移動(偏析現象)に関する物理化学現象の把握と制御が重要です。

酸化物結晶

ホーム | News&Topics ――― 干川圭吾プロフィール | 研究紹介 ――― 研究シーズ    | お問い合わせ

Copyright © 2016 HOSHIKAWA LABORATORY All right reserved.

This site was designed with the
.com
website builder. Create your website today.
Start Now