応用物理学会誌の世界結晶年（2014）記念座談会へ招聘されました
田島道夫, 干川圭吾, 宝来正隆, 鹿島一日兒, 山本秀和 （企画・司会：沓掛健太朗本誌集委員） 座談会 シリコン結晶 その現状と将来展望 応用物理, 84(5), 444-451 (2015)
第161委員会にて講演
（独）日本学術振興会「結晶成長の科学と技術第161委員会」第92回研究会で講演を行いました。 ・吉村正文, 干川圭吾他：垂直ブリッジマン法による青色-白色光変換用Al2O3/YAG:Ce共晶体の育成と評価
Journal of Crystal Growthに論文の公開
Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Hisayoshi Iba, Takafumi Kawano, Keigo Hoshikawa Vertical Bridgman growth of Al2O3/YAG:Ce melt...
書籍『シリコン結晶技術―成長・加工・欠陥制御・評価―』出版
書籍『シリコン結晶技術―成長・加工・欠陥制御・評価―』（発行：日本学術振興会第145委員会 技術の伝承プロジェクト編集委員会）が出版されました。干川特任教授は第2章3節「CZ法」を執筆しました。
Journal of Materials Chemistry Aに関連研究論文の公開
Xiang Gao, Craig A. J. Fisher, Yumi H. Ikuhara, Yasuyuki Fujiwara, Shunsuke Kobayashi, Hiroki Moriwake, Akihide Kuwabara, Keigo...
Journal of Crystal Growthに論文の公開
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa Development of the Vertical Bridgman Technique for 6-inch Diameter c-axis Sapphire...
Journal of Crystal Growthに論文の公開
T. Suzuki, K. Shirotsuki, T. Taishi, K. Hoshikawa Contact angle of sapphire melt and bubble generation on crucible material Journal of...
Journal of Crystal Growthに論文の公開
T. Taishi, T. Kobayashi, M. Shinozuka, E. Ohba, C. Miyagawa, K. Hoshikawa Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in...
Journal of Crystal Growthに論文の公開
K. Hoshikawa, T. Taishi, E. Ohba, C. Miyagawa, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka Vertical Bridgman growth of sapphire crystals,...
Journal of Crystal Growthに論文の公開
K. Hoshikawa, J. Osada, Y. Saitou, E. Ohba, C. Miyagawa, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka, K. Kanno Vertical Bridgman growth of...