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干川圭吾プロフィール

氏名

干川圭吾(ほしかわけいご)

信州大学研究者総覧

約40年間、実用レベルの半導体および酸化物バルク単結晶成長技術の研究開発に携わってきました。論文や解説書では伝えきれない知見・体験を次の世代に残せたらと考えています。機能性単結晶の成長と評価・解析の研究を通して、学術界・産業界への貢献も望んでいます。

干川研究室の発足と経過

2007年4月

2011年11月

​2015年4月

信州大学工学部に「機能性単結晶材料創製寄附研究部門(寄附企業:不二越機械工業㈱)」が設置され、

干川圭吾名誉教授(平成19年3月信州大学教育学部定年退職)が担当教員として発足しました。

太子敏則准教授(信州大学工学部)が加わって、「グリーンマテリアル創製と応用研究部門」に名称を変更し、

研究領域を拡大しました。

太子准教授の先鋭領域融合研究群 環境・エネルギー材料科学研究所への移籍(太子研究室を設置)に伴い、

機能性単結晶材料創製共同研究部門として発足しました(干川特任教授担当教員)。

干川圭吾 学歴・職歴・研究歴

1967年3月

信州大学工学部通信工学科卒業

信州大学大学院工学研究科(通信工学専攻)修了

日本電信電話公社 電気通信研究所(1987年08月NTT LSI研所改組) 主幹研究員
・通信用磁性部品の研究
・磁気記憶(磁気バブル)材料および記憶素子の研究
・LSI用半導体(Si,GaAs,InP)結晶成長と結晶品質改善の研究

 

博士(工学)(東京工業大学)

 

東北大学金属材料研究所 助教授
・化合物半導体結晶成長の研究、酸化物結晶成長の研究

 

信州大学 教育学部 生活科学教育講座 教授
・電気・電子・通信技術、エネルギ-と環境に関する教育
・Si結晶成長に関する基礎現象の研究
・機能性酸化物結晶成長技術に関する研究

 

東北大学 金属材料研究所 客員教授
・化合物半導体結晶成長の研究、酸化物結晶成長技術の研究

 

科学技術庁 金属材料技術研究所 客員研究官
・磁性金属材料の一方向凝固プロセスにおける磁界印加の研究

 

九州大学 機能物質科学研究所 客員教授
・磁界印加Si結晶成長における計算機シミュレ-ションに関する研究

 

信州大学工学部電気電子工学科 客員教授
・機能性単結晶材料創製に関する研究

 

信州大学工学部電気電子工学科 特任教授
・機能性単結晶材料創製に関する研究

2014年4月~現在

1969年3月​

​1969年4月~1990年10月

1987年5月

1990年10月~1992年5月

1992年6月~2008年3月

1993年4月~1993年9月

1996年4月~1998年3月

1999年10月~2000年3月

2008年4月~2014年3月

干川圭吾 受賞歴

1982年7月

井上春成賞受賞「大形高品質シリコン単結晶引上げ装置」(財)新技術開発事業団

 

日本金属学会技術開発賞受賞「無転位ガリュウムひ素結晶の開発」日本金属学会

 

大河内記念技術賞受賞「Czochralski Silicon Crystal Growth in the Vertical Magnetic Field」
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.21 No.9, 1982,pp.L545~L547

 

日本結晶成長学会論文賞受賞「Silicon Crystal Growth in a Cusp Magnetic Field」
Journal of Crystal Growth, Vol.96, 1989, pp.747~775
日本結晶成長学会

 

日本結晶成長学会論文賞受賞「Dislocation-free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process」
Japanes Journal of Applied Physics. Vol.38, 1999, pp.L1369-L1371
日本結成長学会

 

日本結晶成長学会貢献賞受賞「日本結晶成長学会の活動と目的達成に貢献」
日本結晶成長学会

 

応用物理学会フェロ-表彰「半導体および酸化物バルク単結晶成長技術の開拓」
応用物理学会

2004年08月

1985年10月

1992年08月

1987年03月

2003年07

2012年09月

干川圭吾 主な著書・論文等

(1) K.Hoshikawa, H.Nakanishi, H.Khoda and K.Ikuta: Control of Oxygen Concentration in CZ Silicon Growth, Proceedings of the 4th Symposium on Silicon Materials and Technology, Semiconductor Silicon 1981 (The Electrochemical Society, Minneapolis, USA)
【要点】CZ-Si結晶における酸素の移動機構を明らかにし、従来の常識を覆すような低酸素濃度結晶が育成可能なことを実験的に示した最初の論文。

(2) Keigo Hoshikawa: Czochralski Silicon Crystal Growth in the Vertical Magnetic Field, Jpn.J.Appl.Phys. Vol.21 No.9, pp.L545~L547 (1982) →1987年03月 大河内記念技術賞受賞
【要点】垂直磁界印加方法によるCZ-Si結晶育成を初めて示し、これにより広範囲の酸素濃度制御が可能なことを示した最初の論文。

 

(3) Keigo Hoshikawa, Hideo Nakanishi, Hiroki Khoda, Masahiro Sasaura: Liquid Encapsulated, Vertical-Bridgman Growth of Large Diameter, Low Dislocation Density, Semi-insulating GaAs, J.Crystal Growth Vol.94, pp. 643~650 (1989)
【要点】垂直ブリッジマン法によるGaAs結晶育成と低転位密度結晶育成が可能なことを示した最初の論文。

 

(4) Hiroshi Hirata, Keigo Hoshikawa: Silicon Crystal Growth in a Cusp Magnetic Field, J.Crystal Growth Vol.96, pp.747~755 (1989) →1992年08月 日本結晶成長学会論文賞受賞
【要点】カスプ磁界印加法CZ-Si結晶育成の方法と結果を示した最初の論文

 

(5) 干川圭吾:液体封止垂直ブリッジマン法によるGaAs単結晶成長(半導体研究工業調査会 西澤潤一編)pp.3-34 (1991)
【要点】液体封垂直ブリッジマン法GaAs結晶育成技術の詳細をまとめた著書。

 

(6) Hiroshi Hirata, Keigo Hoshikawa: Three-dimensional numerical analyses of the effects of a cusp magnetic field on the flows, oxygen transport and heat transfer in a Czochralski silicon melt, J.Crystal Growth Vol.125 pp.181~207 (1992)
【要点】カスプ磁界印加CZ-Si結晶育成における熱、融液および酸素の流れに関するシミュレ-ション手法と結果について述べている。

 

(7) Keigo Hoshikawa, Xinming Huang, Toshinori Taishi, Tomio Kajigaya, Takayuki Iino: Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process, Jpn.J.Appl.Phys. Vol.38 No.12A, pp.L1369-L1371 (1999) → 2003年07月 日本結晶成長学会論文賞受賞
【要点】無ネック無転位CZ-Si結晶育成方法と結果を示した最初の論文。

 

(8) 干川圭吾:酸素濃度制御、垂直ブリッジマン法(バルク結晶成長技術 培風館 干川圭吾編著)pp.71-93、pp.222~241 (2004)
【要点】バルク結晶成長技術に関する編著書。CZ-Si結晶育成の酸素濃度制御技術と垂直ブリッジマン法による化合物半導体結晶育成について執筆している。

 

(9) Keigo Hoshikawa, Xinming Huang, Toshinori Taishi: Heavily doped silicon crystals: neckless growth and robust wafers, J. Crystal Growth, Vol.275, pp.276-282 (2005)
【要点】高濃度にBおよびGeを同時添加したCZ-Si結晶は、結晶が硬くなることにより、無ネックで無転位成長が可能なことおよびこの結晶基板はSiエピタキシャル基板として、熱ショックに強く、さらに低抵抗でもミスフィット転位も発生しない(同時添加による格子整合のため)丈夫(robust)な結晶基板であることを提案している。

(10) Taketoshi Hibiya, Keigo Hoshikawa: Silicon, Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Opto-electonic Materials, John Wiley & Sons, Ltd edited by P.Capper, pp.1-42 (2005)
【要点】主に日本国内で解明・開発されたSi結晶技術について紹介した教科書。

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