国際学会にて研究発表
T. Taishi, K. Hoshikawa, H. Sakamoto and H. SuzukiSolution growth of SiC crystal from the crucible bottomProceedings of 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2012, 67-70 (2012）
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HOSHIKAWA LABORATORY
～バルク単結晶育成のエキスパート～
電気・電子・光応用機能性バルク単結晶育成技術で、学術界・産業界への貢献を目指しています。
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