日本結晶成長学会業績賞および赤崎勇賞を受賞
日本結晶成長学会業績賞および赤崎勇賞を受賞しました。 受賞タイトル： 機能性バルク単結晶育成技術の開拓と実用化
受賞者： 干川圭吾
2018年11月1日（仙台市戦災復興記念館にて） ＜推薦理由書＞
「機能性バルク単結晶育成技術の開拓と実用化」 受賞者は、長年バルク結晶育成技術の研究に関わり、シリコン、化合物半導体、酸化物等の単結晶の大形化・高品質化・低価格化に向けた研究と実用化に尽力した。
Si結晶では、結晶特性・品質に密接に関わるCZ-Si中酸素について、「酸素の混入機構」を先駆的に解明し、効果的な「酸素濃度制御技術」を提案・確立した。高精密に濃度制御された現在のSiウエハはこれらの知見、技術基盤に立脚している。Si育成への「磁界印加効果」にも早期に着目し、「水冷コイルによる垂直磁界」、「超電導コイルによるカスプ磁界」等、新規技術を順次提案し、磁界印加技術の進展を牽引した。これらの知見・技術は、現在の300mm径Siの全てが、磁界印加の下で生産されている現実に大きく寄与している。
GaAs結晶では、大形化、低転位密度化、高歩留まり育成